美光HBM3Gen2內存現已向客戶出樣，帶寬可達1.2TB/s

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，據 Tom's Hardware 報道，美光今日宣布其 HBM3 Gen 2 內存正在向客戶提供樣品。

美光稱其 HBM3 Gen 2 內存是世界上速度最快的，具有 1.2 TB / s 的聚合帶寬，8 高堆疊容量為 24GB。未來還有 12 高堆疊版本，容量可達 36GB。美光稱其新內存是最節能的，與該公司上一代 HBM2E 相比，每瓦性能是上代的2.5 倍。

據報道，美光是第一個提供第二代 HBM3 內存樣品的公司，超過了 SK 海力士和三星等競爭對手。

命名方面，美光的 HMB3 Gen 2 內存沒有按照美光之前的命名約定命名為“HBM3E”。美光表示，新的“Gen2”命名代表性能、容量和能效方面的代際飛躍。

美光公布了最新的內存路線圖，圖中標注了“HBMNext”內存，推出的時間點為2026 年左右，容量可達 36-64GB，可提供 2+ TB / s 帶寬。

據介紹，美光的全新 HBM3 Gen 2 內存采用八個堆疊芯片，與其他 8 高 HBM3 內存相比，容量增加了 50%。此外，美光的新型內存也適用于與標準 HBM3 相同的 11mmx11mm 封裝，與現有 HBM3 引腳兼容，更換內存也相對容易。

美光 HBM3 Gen 2 內存 8 高堆棧的帶寬提高了 50%，每個引腳的傳輸速度為 9.2 Gbps，1024bit 位寬即可達到1.2 TB / s 的帶寬。

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