中國工程院院士：我國半導體產業還相對比較落后，稍不小心就會拉大差距

，在北京第三代半導體創新發展論壇上，中國工程院院士、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇談到，總體而言我國半導體產業還相對比較落后，盡管我們已經具有能力設計高端半導體芯片，但是整體技術差距還很大，而且近來由于國外發達國家的半導體布局，如果稍不小心，我們很可能繼續拉大這一差距。

干勇指出，近年世界主要經濟體不斷加大在半導體領域的投入，國際半導體產業發展趨勢競爭將會越來越激烈。比如，美國在 5 月 22 號宣布在加州投入 40 億美元，建立一個大的半導體中心，成為世界最大的半導體基地；5 月 20 號英國政府也宣布，將每年投入一億英鎊，十年之內集中研究開發設計知識產權尖端的復合半導體。

干勇強調，隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發展的需要，第三代半導體新材料快速崛起。

此外，基于第三代半導體材料和器件將引領高端電力裝備的顛覆性創新應用，推動傳統電網向半導體電網發展。其中，5G 基站、數據中心等新型用電設施的大規模建設運行，能耗問題已成為主要瓶頸，發展基于第三代半導體材料的高效電能轉換技術刻不容緩。

他認為，未來半導體發展的兩個方向，一個是半導體器件高密度集成和半導體器件的小型化，總體而言我國半導體產業還相對比較落后，盡管我們已經具有能力設計高端半導體芯片，但是整體技術差距還很大，而且近來由于國外總體的，特別發達國家的半導體布局，如果稍不小心，我們很可能繼續拉大這一差距。國外加緊布局，中國半導體也必須開始作為頂層的整合資源式的、集中行動的建立大平臺，培育大產業，如果不加緊布局，未來中國半導體技術與國外差距將進一步拉大。

干勇建議，第三代半導體為代表的化合物半導體在滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等新需求的快速發展中，在全球信息化發展和可持續電極化轉型中，我們能夠起到一個至關重要的支撐作用，所以我們必須把它作為突破口，這是我國重構全球半導體產業競爭格局的重要窗口。

另外，半導體產業的全球化屬性是不可改變的，創新對半導體行業尤為重要，加強技術研究和原始創新，實現關鍵核心技術突破，以創新驅動帶動產業高質量發展，同時加強全球產業鏈供應鏈的協作。